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電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了網(wǎng)友針對Coolmos的選型及優(yōu)勢的一些談?wù)?，方便大家參考。Coolmos的使用是一個(gè)趨勢，因?yàn)槠胀∕OS已經(jīng)不能滿足電源的實(shí)際需求。
稍稍談下我的看法。

1、Coolmos的選型 一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個(gè)參數(shù) BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個(gè)參數(shù)，只有Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動態(tài)參數(shù)，其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時(shí)候，電流只有50A，所以選型的時(shí)候要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導(dǎo)通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個(gè)損耗，開關(guān)損耗其實(shí)往往更加占主導(dǎo)。開關(guān)損耗在MOS里最直接體現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最核心的參數(shù)。從coolmos的發(fā)展來看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外，他是C3的Cost down)。你是電源設(shè)計(jì)者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在實(shí)際應(yīng)用中，MOS前段的Rg驅(qū)動，一般對電阻要求會低很多。這也能降低損耗。舉個(gè)例子，20N60C3 MOS前段的驅(qū)動電阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，開關(guān)越高，EMI的問題就出來了。所以驅(qū)動電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，盡量降低驅(qū)動電阻。

2.Coolmos是否需要采用散熱措施。我只能說要看功率，舉個(gè)例子，150W的LED電源上，你覺得可以不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有地方么?Coolmos，在應(yīng)用端，解決了有的電源方案需要電子器件更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上看重Coolmos的還是他能降低損耗，所以散熱片是一定要加的。

3.Coolmos目前在國內(nèi)應(yīng)用還是非常片面的，任重而道遠(yuǎn)。舉個(gè)例子，在一個(gè)70W的筆記本適配器上，很多還是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我們知道實(shí)際電路里的有效電流其實(shí)很小，用20A只是看重他的低內(nèi)阻，降低損耗，降低溫升。那現(xiàn)在很多工程師來Rreview這個(gè)方案的時(shí)候，腦子還是轉(zhuǎn)不過彎來。如果使用Coolmos，他認(rèn)為還需要16A的，那同等電流，價(jià)格肯定不可比的。其實(shí)呢，Coolmos 10A足夠去替代了。開關(guān)損耗，Coolmos要較平面管低很多，內(nèi)阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會高多少，在高溫下，基本內(nèi)阻是一致的。(有機(jī)會發(fā)個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內(nèi)阻是相差不多的---前提，帶負(fù)載，體現(xiàn)開關(guān)損耗低的特點(diǎn))，所以工程師要多了解Coolmos。在中壓MOS(100-150V)，英飛凌、ST、AO、FC均有超低導(dǎo)通電阻、超低損耗的MOS出現(xiàn)，如Opti3MOS(艾默生、華為都有大量使用，是未來的主導(dǎo))、SDMOS等。
總之一句話：MOS在發(fā)展，損耗會越來越低。電源方案只會像更高效率和更小體積發(fā)展。

Coolmos的宗旨是追求：開關(guān)最低損耗。在Coolmos上，是通過P柱，形成更大的PN結(jié)，從而降低Rds。但是就如同你講的，Coolmos，降低了Rds，所以他的EAS能力較之平面管要低，這也對電源設(shè)計(jì)者提出了更高的要求。但是我們都知道，能用得起Coolmos的電源，基本稱之為高檔電源，那方案的設(shè)計(jì)肯定是精益求精的。不是普桑上裝了個(gè)上萬的音響，而是寶馬上都是原裝配置。這就是差距。