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《金屬-氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）電壓變化率和等效電容測試方法》是芯派科技測試應(yīng)用中心根據(jù)行業(yè)需要以及中心多年測試經(jīng)驗總結(jié)，提出的原創(chuàng)性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)于2019年通過了工信部電子司和科技司的兩次項目立項評審，對于功率MOSFET的性能評估、應(yīng)用支撐和國產(chǎn)器件競爭力的提高有著重要的意義。

2019年，工業(yè)和信息化部下達(dá)了《2019年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項目計劃》，該標(biāo)準(zhǔn)的計劃代號為2019-0562T-SJ，主管部門為電子信息司，歸口單位為工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院，主要起草單位為西安芯派電子科技有限公司，副主辦單位為工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院和中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所。項目起止時間為2019年至2021年。

在大量實驗驗證的基礎(chǔ)上結(jié)合理論計算，芯派科技測試應(yīng)用中心在2020年完成了標(biāo)準(zhǔn)的草案編寫和驗證工作，因疫情影響，標(biāo)準(zhǔn)起草評審會推遲至2021年6月19日在西安舉行。

評審會邀請來自中國電科13所、西安電力電子研究所、工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中科院微電子所、石家莊天林電子、西安衛(wèi)光科技等單位的資深專家參與評審，評審小組組長由電子四院張秋專家擔(dān)任。

評審會上，評審專家對《金屬-氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）電壓變化率和等效電容測試方法》這個國內(nèi)少見的原創(chuàng)性標(biāo)準(zhǔn)給予了很高的評價。評審過程中，專家們對標(biāo)準(zhǔn)中涉及到的理論基礎(chǔ)、計算推導(dǎo)過程、測試波形量化、測試條件約束和定義等與芯派科技測試應(yīng)用中心技術(shù)人員展開了詳細(xì)的討論，并結(jié)合自己多年行業(yè)經(jīng)驗對部分條款給出了修改意見。

會后，各位專家在測試應(yīng)用中心主任的帶領(lǐng)下參觀了測試應(yīng)用中心的各科室，對測試應(yīng)用中心的硬件配置和研究水平給予了高度評價。

下一步，芯派科技將在評審組專家意見的基礎(chǔ)上對標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行進(jìn)一步修訂，隨后提交送審稿至相關(guān)部門審核，加速此項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)落地實施，為半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展標(biāo)準(zhǔn)化貢獻(xiàn)自己的一份力。