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芯派科技股份有限公司-技術(shù)前沿資訊-MOSFET參數(shù)系統(tǒng)解讀

MOSFET參數(shù)系統(tǒng)解讀

時(shí)間：2020/6/8 21:46:01瀏覽次數(shù)：8485

器件規(guī)格書的幾頁(yè)英文數(shù)據(jù)看得眼花繚亂了吧，今天小編給大家逐條詳細(xì)解讀MOSFET參數(shù)，老板再也不會(huì)擔(dān)心我選器件的能力了，yeah！


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標(biāo)識(shí) 參數(shù) 中文描述 應(yīng)用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀
VDSS Drain to Source Voltage 漏源電壓標(biāo)稱值 參考BVDSS
ID  Continuous Drain Current  (@TC=25°C) 漏源標(biāo)稱電流 漏源間可承受的電流值，該值如果偏小，在設(shè)計(jì)降額不充裕的系統(tǒng)中或在過(guò)載和電流保護(hù)的測(cè)試過(guò)程中會(huì)引起電流擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
Continuous Drain Current (@TC=100°C)
IDM Drain current pulsed 漏源最大單脈沖電流 反應(yīng)的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強(qiáng)度，該參數(shù)過(guò)小，電源系統(tǒng)在做過(guò)載和電流保護(hù)測(cè)試時(shí)，有電流擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
VGS Gate to Source Voltage 柵漏電壓 柵極可承受的最大電壓范圍，在任何條件下，必須保證其接入的電壓必須在規(guī)格范圍內(nèi)。MOSFET的柵極也是MOSFET最薄弱的地方。
EAS  Single pulsed Avalanche  Energy 單脈沖雪崩能量 MOSFET漏源極可承受的最大單次或多次脈沖能量，該能量如果過(guò)小在雷擊浪涌、過(guò)載保護(hù)和耐壓等測(cè)試項(xiàng)目時(shí)有失效的風(fēng)險(xiǎn)。
EAR  Repetitive Avalanche  Energy 重復(fù)雪崩能量
dv/dt Peak diode Recovery dv/dt 漏源寄生二極管恢復(fù)電壓上升速率 （1）dv/dt反應(yīng)的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。
（2）對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路可以進(jìn)行修正。
PD Total power dissipation  (@TC=25°C) 最大耗散功率 該值越大越好，由于該值的測(cè)試是模擬理想環(huán)境，所以測(cè)試出來(lái)值跟實(shí)際應(yīng)用比起來(lái)差異特別大，參考意義比較有限。
Derating Factor above 25°C
TSTG,  TJ Operating Junction  Temperature & Storage Temperature 結(jié)溫及貯存溫度 該參數(shù)表明MOSFET的溫度承受能力，越大越好
TL Maximum Lead Temperature  for soldering 最大引線焊接溫度 該參數(shù)是針對(duì)插件類產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，該參數(shù)值越大，焊接時(shí)溫度承受能力越好。
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.



Thermal characteristics

標(biāo)識(shí) 參數(shù) 中文描述 應(yīng)用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀
Rthjc Thermal resistance, Junction to case 芯片到封裝的熱阻抗 該系列參數(shù)均表明在發(fā)熱相同條件下器件散熱能力的強(qiáng)弱，熱阻越小散熱能力越好。
Rthcs Thermal resistance, Case to Sink 封裝到散熱片的熱阻抗
Rthja Thermal resistance, Junction to ambient 芯片到空氣的熱阻抗
標(biāo)識(shí) 參數(shù) 中文描述 應(yīng)用系統(tǒng)
關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀
IS Continuous source current 最大連續(xù)續(xù)流電流 漏源間可承受的最大持續(xù)電流，該值如果偏小，在設(shè)計(jì)降額不充裕的系統(tǒng)中在測(cè)試過(guò)載和電流保護(hù)的過(guò)程中會(huì)引起電流擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
ISM Pulsed source current 最大單脈沖續(xù)流電流 反應(yīng)的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強(qiáng)度，該參數(shù)過(guò)小，電源系統(tǒng)在做過(guò)載和電流保護(hù)測(cè)試時(shí)，有電流擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
VSD Diode forward voltage drop. 二極管源漏電壓 該參數(shù)如果過(guò)大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)損耗過(guò)大，溫升過(guò)高。
Trr Reverse recovery time  反向恢復(fù)時(shí)間 該參數(shù)如果過(guò)大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)損耗過(guò)大，溫升過(guò)高。同時(shí)也加重了電路直通的風(fēng)險(xiǎn)。
Qrr Reverse recovery Charge 反向恢復(fù)充電電量 該參數(shù)與充電時(shí)間成正比，一般越小越好。


Electrical characteristic

( TC = 25°C unless otherwise specified )

標(biāo)識(shí) 參數(shù) 中文描述 應(yīng)用系統(tǒng)關(guān)聯(lián)參數(shù)解讀
 Off characteristics
BVDSS Drain to source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 漏源極最大承受電壓，該參數(shù)為正溫度系數(shù)。如果BVDSS過(guò)小，應(yīng)用到余量不足的系統(tǒng)板中會(huì)引起MOSFET過(guò)壓失效。
ΔBVDSS/ ΔTJ Breakdown voltage temperature   coefficient 漏源擊穿電壓的溫度系數(shù) 正溫度系數(shù)，反應(yīng)的是BVDSS溫度穩(wěn)定性，其值越小，表明穩(wěn)定性越好。
IDSS Drain to source leakage current 漏源漏電流 正溫度系數(shù)，IDSS越大，MOSFET關(guān)斷時(shí)的靜態(tài)損耗越大，會(huì)導(dǎo)致溫升惡化。
IGSS Gate to source leakage current, forward 柵極驅(qū)動(dòng)漏電流 柵極漏電流，越小越好，對(duì)系統(tǒng)效率有較小程度的影響。
Gate to source leakage current, reverse
 On characteristics
VGS(TH) Gate  threshold voltage 開(kāi)啟電壓 （1）在相同ID和跨導(dǎo)條件下，VGS(TH)越高，MOSFET米勒平臺(tái)也就越高。
（2）其直接反應(yīng)MOSFET的開(kāi)啟電壓，MOSFET實(shí)際工作時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電壓必須大于平臺(tái)電壓，如果柵極驅(qū)動(dòng)電壓長(zhǎng)期工作在平臺(tái)附近，會(huì)導(dǎo)致器件不能完全打開(kāi)，內(nèi)阻急劇上升，從而器件產(chǎn)生相應(yīng)的熱失效現(xiàn)象。
RDS(ON) Drain  to source on state resistance 導(dǎo)通電阻 同一規(guī)格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接決定MOSFET的導(dǎo)通損耗，RDS(ON)決越大，損耗越大，MOSFET溫升也越高。在較大功率電源中，RDS(ON)損耗占MOSFET整個(gè)損耗中較大比例。
RDS(ON)的變化會(huì)引起客戶系統(tǒng)板過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的變化。
Gfs Forward Transconductance 正向跨導(dǎo) 其反應(yīng)的是柵電壓對(duì)漏源電流控制的能力，Gfs過(guò)小會(huì)導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度降低，關(guān)斷能力減弱，Gfs過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷過(guò)快，EMI特性差，同時(shí)伴隨關(guān)斷時(shí)漏源會(huì)產(chǎn)生更大的關(guān)斷電壓尖峰。
Dynamic characteristics
Ciss Input capacitance  輸入電容=Cgs+Cgd 該參數(shù)影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間，Ciss越大，同樣驅(qū)動(dòng)能力下，開(kāi)通及關(guān)斷時(shí)間就越慢，開(kāi)關(guān)損耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電路的原因。但較慢的開(kāi)關(guān)速度對(duì)應(yīng)的會(huì)帶來(lái)較好的EMI特性。
Coss Output capacitance 輸入電容=Cds+Cgd 這兩項(xiàng)參數(shù)對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間有影響，其中Cgd會(huì)影響到漏極有異常高電壓時(shí)，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能量的大小，會(huì)對(duì)雷擊測(cè)試項(xiàng)目有一定影響。
Crss Reverse  transfer capacitance 反向傳輸電容=Cgd (米勒電容)
td(on) Turn on delay time 漏源導(dǎo)通延遲時(shí)間 這些參數(shù)都是與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)。開(kāi)關(guān)速度越快對(duì)應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗越小，效率高，溫升低，對(duì)應(yīng)的缺點(diǎn)是EMI特性差，MOSFET關(guān)斷尖峰過(guò)高。
tr Rising time 漏源電流上升時(shí)間
td(off) Turn off delay time 漏源關(guān)斷延遲時(shí)間
tf Fall time 漏源電流下降時(shí)間
Qg Total gate charge 柵極總充電電量
Qgs Gate-source charge 柵源充電電量
Qgd Gate-drain charge 柵漏充電電量