20年專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn) 前沿技術(shù)研發(fā)新產(chǎn)品
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7月22日,第十五屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2021年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在大連開(kāi)幕。為期2天的大會(huì)匯集了70多場(chǎng)邀請(qǐng)報(bào)告與口頭報(bào)告,來(lái)自大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)的專(zhuān)家代表,從材料、設(shè)備、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)到制造封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),介紹了二極管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體分立器件的最新技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)。
作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)員,芯派科技受邀參加了此次活動(dòng)并發(fā)表主題演講,與參會(huì)人員深入探討中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況及未來(lái)趨勢(shì)。
公司測(cè)試應(yīng)用中心資深工程師竹永輝、左帆、王超博分別發(fā)表主題演講:《IGBT模塊NTC溫度與模塊殼溫、結(jié)溫關(guān)系探究》、《不同外部測(cè)試條件對(duì)IGBT模塊熱阻測(cè)試的影響分析》、《MOSFET在兩輪車(chē)控制器上的應(yīng)用研究》。
《IGBT模塊NTC溫度與模塊殼溫、結(jié)溫關(guān)系探究》:通過(guò)搭建測(cè)試平臺(tái)在某款車(chē)用電機(jī)控制器中測(cè)定了NTC溫度在不同工況下與模塊結(jié)溫關(guān)系,建立了該款控制器NTC溫度與模塊結(jié)溫的關(guān)系模型,并通過(guò)仿真與實(shí)測(cè)結(jié)果對(duì)比分析驗(yàn)證了該模型的準(zhǔn)確性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)其他使用NTC評(píng)估模塊結(jié)溫的場(chǎng)合也具有一定指導(dǎo)意義。
《不同外部測(cè)試條件對(duì)IGBT模塊熱阻測(cè)試的影響分析》:針對(duì)HP Drive封裝IGBT模塊采用瞬態(tài)熱測(cè)試法評(píng)估了不同試驗(yàn)條件對(duì)熱阻值的影響,結(jié)果表明冷卻液的溫度,流速及介質(zhì)等均會(huì)對(duì)結(jié)果產(chǎn)生影響并定量分析了影響程度,這對(duì)不同業(yè)內(nèi)測(cè)試結(jié)果互認(rèn)有很大的參考價(jià)值。
《MOSFET在兩輪車(chē)控制器上的應(yīng)用研究》:簡(jiǎn)述了MOSFET在兩輪車(chē)控制器上的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn),分析了不同器件參數(shù)對(duì)dv/dt,di/dt影響,為MOSFET在兩輪車(chē)控制器上安全高效應(yīng)用提供了思路。
此次活動(dòng)作為全國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用領(lǐng)域一次重要的學(xué)術(shù)、技術(shù)交流活動(dòng),為廣大從事新型半導(dǎo)體功率材料、器件及其應(yīng)用技術(shù)工作者提供了多領(lǐng)域的溝通平臺(tái)。作為協(xié)會(huì)會(huì)員單位,芯派科技成立17年來(lái)在功率器件研發(fā)及設(shè)計(jì)領(lǐng)域碩果累累,也愿通過(guò)自己的不懈努力,成為推動(dòng)分立器件領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代的中堅(jiān)力量!