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芯派科技的省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室西安半導(dǎo)體功率器件測(cè)試應(yīng)用中心自2011年成立以來(lái)，已連續(xù)8年通過(guò)CNAS &國(guó)際ILAC認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)年服務(wù)測(cè)試客戶百余家，產(chǎn)出測(cè)試報(bào)告千余份的驕人成績(jī)。為適應(yīng)測(cè)試應(yīng)用中心的發(fā)展規(guī)劃、規(guī)范芯派科技的設(shè)備采購(gòu)工作，實(shí)現(xiàn)芯派科技業(yè)務(wù)擴(kuò)展、研發(fā)測(cè)試能力提升的目的，現(xiàn)對(duì)芯派科技測(cè)試應(yīng)用中心實(shí)驗(yàn)室所需設(shè)備進(jìn)行邀標(biāo)采購(gòu)，茲邀請(qǐng)證照齊全、設(shè)備質(zhì)量可靠、資信及服務(wù)良好的新老供應(yīng)商參與邀標(biāo)。

現(xiàn)公布2019年第一批招標(biāo)設(shè)備清單
截止日期：2019年11月31日（擬）


可靠性實(shí)驗(yàn)室
IGBT模塊功率循環(huán)
電流能力1800A，電源電壓12V,最大12個(gè)工位,可實(shí)時(shí)監(jiān)控每個(gè)模組的結(jié)溫

IGBT模塊老化設(shè)備
電源電壓3000V以上，精度：<1%，最少20工位，
室溫~200℃溫度偏差：±2.0℃
漏電流檢測(cè)范圍：100nA～50mA, 精度：2%，最少采樣時(shí)間間隔5分鐘


器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
該設(shè)備的測(cè)試對(duì)象為IGBT/MOSFET模塊，設(shè)備測(cè)試電路應(yīng)完全符合IEC60747-2/7/9中的要求，測(cè)試參數(shù)包含BVCES、ICES、IGESF、IGESR、VGETH、Vceon、VF。
1. 設(shè)備主功率要達(dá)到5000V/5000A及以上；
2. 設(shè)備需具備加熱功能，加熱范圍至少應(yīng)滿足25°C~175°C；
3. 測(cè)試采用四線開(kāi)爾文連接；
4. 各項(xiàng)測(cè)試脈寬可調(diào)；
5. 高壓源在最大電壓輸出時(shí)，電流不低于10mA；電流源在最大電流輸出時(shí)電壓不低于6V；
6. 設(shè)備自帶夾裝滿足Econo Dual和HP1兩種封裝（端子連接完成后設(shè)備一次性完成測(cè)試）；
7. 開(kāi)放設(shè)備的夾裝接口（后期可以自行加裝不同封裝的夾裝）；
8. 設(shè)備安全和環(huán)境保護(hù)符合國(guó)家相應(yīng)的強(qiáng)制要求標(biāo)準(zhǔn)；
9. 需提供設(shè)備服務(wù)的典型客戶（國(guó)內(nèi)）。


失效分析實(shí)驗(yàn)室
掃描電子顯微鏡
1. 具有以下功能：二次電子（SE）、背散射（BSE）、能譜（EDS）；
2. 場(chǎng)發(fā)射電子槍；
3. 加速電壓：不窄于200V~30 kV；
4. 電子束電流：不窄于3pA-20 nA；
5. 二次電子分辨率：不低于1 nm（加速電壓1kV）；
6. 放大倍數(shù)：不窄于X50~1000K（相機(jī)放大倍數(shù)）；
7. 燈絲壽命≥3年

超景深、高精度顯微鏡物鏡：
1.放大倍率：1x-4000x（可以以1倍連續(xù)無(wú)級(jí)倍率調(diào)節(jié)，每一個(gè)倍率下都可以進(jìn)行拍照和測(cè)量）
2 工作距離（物鏡與樣品的距離）：≥40mm
3照明方式：內(nèi)置于物鏡的環(huán)形照明、內(nèi)置于機(jī)身的同軸明場(chǎng)照明、同軸光和環(huán)形光的混合照明、斜照明等。
4最大視場(chǎng)范圍：≥4mm
攝像機(jī)：
1.顯微鏡高清相機(jī)CMOS尺寸：≥1英寸。
2.拍攝單張圖片最大分辨率 ≥1800萬(wàn)像素，非拼圖。
顯微鏡支架：
1.傾斜角度(編碼可識(shí)別到0.1°): ≥ +/- 45°
2.優(yōu)中心功能：鏡頭傾斜時(shí)樣品觀察點(diǎn)始終在視野中間
3.可傾斜支架Z軸電動(dòng)移動(dòng)行程:≥ 120 mm

激光開(kāi)封機(jī)
1. 激光器、激光頭采用進(jìn)口部件；
2. 脈沖寬度可調(diào)，不窄于4-200nS；
3. 激光頻率可調(diào)，不窄于1.6kHz~1MHz；
4. 輸出功率大于10W；
5. 光速質(zhì)量M2<2.0；
6. 開(kāi)封深度，特定功率下一次可以開(kāi)封的深度：最大功率時(shí)>3mm，最小功率時(shí)，<0.01mm；
7. 激光壽命>50000小時(shí)。
8. 滿足目前所有塑封產(chǎn)品的開(kāi)封，最小SOT23，最大TO247?？梢赃M(jìn)行Al、Cu、合金線產(chǎn)品的開(kāi)封。

微光顯微鏡EMMI&OBIRCH
具體參數(shù)要求請(qǐng)與招標(biāo)小組聯(lián)系

招標(biāo)小組聯(lián)系方式：
電話：029-88251977轉(zhuǎn)8003
郵箱：heyilin@semipower.com.cn
聯(lián)系人：何小姐